SUNX微型激光位移傳感器,CMOS型
·外加電壓:30VDC以下(控制輸出和0V之間)
·剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時)
設計出內部設置反射鏡的新型光學系
較大輸出:0.2mW、投光峰波長度:655nm
設計出內部安裝有鏡面的新型光學系統
受光元件CMOS圖像傳感器 控制輸出
采用位移傳感器所使用的CMOS影像傳感器,以及位移傳感器
W20mm×H44mm×D25mm 配備模擬輸出
·較大源電流:50mA ·外加電壓:30V DC以下(控制輸出和+V之間)
消耗電流40mA以下(電源電壓24V DC時)、60mA以下(電源電壓12V DC時)
精度所產生的影響。
測量?! ?mm/100mm的。
·輸出范圍:0V~5V(正常時);5.2V(報警時)
電源電壓12V DC~24V DC±10% 脈動P-P10%
少外殼變形和溫度等不穩定因素對測量
※截止到2014年3月,根據本公司調查
長,機身形狀也會變大。HG-C系列
穩定檢測10μm的CMOS激光傳感器
統,并縮短進深方向的尺寸,同時又
SUNX微型激光位移傳感器,CMOS型
·較大流入電流:50mA ·漏電流:0.1mA以下
(CMOS)之間的光路長度,從而可獲
光源紅色半導體激光 2級(JIS/IEC/GB)、Ⅱ級(FDA)(注2)
可實現與變位傳感器相媲美的
·漏電流:0.1mA以下 短路保護配備(自動復位式) 模擬輸出
輸出動作入光時ON/非入光時ON 可切換
是另一方面,傳感器的進深方向會變
形狀達到業內小型級別 ※進深:25mm業內較短
〈PNP輸出型〉 PNP開路集電極晶體管
〈NPN輸出型〉 NPN開路集電極晶體管
采用同時兼顧輕量與強度的鋁鑄外殼。
·剩余電壓:1.5V以下(流入電流50mA時)
得精度更高、更穩定的測量值,但
直線性±0.1%F.S. ±0.2%F.S. ±0.3%F.S.
光束直徑約φ50μm 約φ70μm 約φ120μm 約φ300μm 約φ500μm 約φ150μm
CMOS影像傳感器&配備獨特的算法
SUNX微型激光位移傳感器,CMOS型
021-39526589
網址:czhfh.cn
地 址:上海市嘉定區嘉涌路99弄
6號樓713室