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ATOS壓力傳感器E-ATR-8/400/I結構方式

ATOS壓力傳感器E-ATR-8/400/I結構方式

  • 所屬分類:意大利ATOS阿托斯
  • 瀏覽次數:
  • 發布日期:2023-07-07
  • 產品概述
  • 性能特點
  • 技術參數

ATOS壓力傳感器E-ATR-8/400/I結構方式

產品型號:

 編碼ESP-RI-TEB-N-NP-05H

 ATOS比例閥: DPZO-TEB-SN-NP-471-L5/E

LIQZP-LEB-SN-NP-402L4

比例調節電磁網RZMO-P2-02-REB-P-NP-010/210

 單向節流閥;HQ-023/U   ATOS

 電磁閥QVHZO-A-06/12 2024VDCATOS

DKE-1714/WP 

 DHZO-TEB-SN-NP-071-S5

ATOS E-RI-LEB-N-NP-01H 11/DLHZO-LEBQP-SN-NP-060-V71 

ATOS 14W1120DPZO-LES-SN-NP-260-L5/B

ATOS E-RI-LEB-N-NP-01H/Q11 DLHZO-LEBQP-SN-NP-060-V71  

ATOS 電磁閥線圈 SDKE-1751/2 10S/PE 24V


產品功能;

如果將傳感器強行安裝在過小的孔或形狀不規則的孔中,就有可能造成傳感器的震動膜受到沖擊而損壞,選擇合適的工具加工安裝孔,有利于控制安裝孔的尺寸,另外,合適的安裝扭矩有利于形成良好的密封,但是如果安裝扭矩過高就容易引起高溫熔體壓力傳感器的滑脫,為防止這種現象發生,通常在傳感器安裝之前在其螺紋部分上涂抹防脫化合物。

我們知道,晶體是各向異性的,非晶體是各向同性的。某些晶體介質,當沿著一定方向受到機械力作用發生變形時,就產生了極化效應;當機械力撤掉之后,又會重新回到不帶電的狀態,也就是受到壓力的時候,某些晶體可能產生出電的效應,這就是所謂的極化效應。科學家就是根據這個效應研制出了壓力傳感器。

半導體壓電阻抗擴散壓力傳感器是在薄片表面形成半導體變形壓力,通過外力(壓力)使薄片變形而產生壓電阻抗效果,從而使阻抗的變化轉換成電信號。

靜電容量型壓力傳感器,是將玻璃的固定極和硅的可動極相對而形成電容,將通過外力(壓力)使可動極變形所產生的靜電容量的變化轉換成電氣信號。 (E8Y的動作原理便是靜電容量方式,其他機種采用半導體方式)。

壓電傳感器中使用的壓電材料包括有石英、酒石酸鉀鈉和磷酸二氫胺。其中石英(二氧化硅)是一種天然晶體,壓電效應就是在這種晶體中發現的,在一定的溫度范圍之內,壓電性質一直存在,但溫度過這個范圍之后,壓電性質完全消失(這個高溫就是所謂的“居里點”)。由于隨著應力的變化電場變化微小(也就說壓電系數比較),所以石英逐漸被其他的壓電晶體所替代。而酒石酸鉀鈉具有很大的壓電靈敏度和壓電系數,但是它只能在室溫和濕度比較環境下才能夠應用。磷酸二氫胺屬于人造晶體,相對密度1.80,熔點190℃,能夠承受高溫和相當高的濕度,在空氣中穩定。常溫下( 20℃)在水中的溶解度為37.4g,微溶于乙醇,不溶于丙酮,所以 已經得到了廣泛的應用。在現在壓電效應也應用在多晶體上,比如現在的壓電陶瓷,包括鈦酸鋇壓電陶瓷、PZT、鈮酸鹽系壓電陶瓷、鈮鎂酸鉛壓電陶瓷等等。


ATOS壓力傳感器E-ATR-8/400/I結構方式

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